特許
J-GLOBAL ID：200903052581358887
II-VI族化合物半導体ウエハ及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 亮一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319932
公開番号（公開出願番号）：特開平11-158000
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】 昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上に成長させた低転位密度のII-VI族化合物半導体結晶からウエハを切り出す低転位密度のII-VI族化合物半導体ウエハおよびその作製方法を提供しようとするものである。【解決手段】 成長室中に原料多結晶を配置し、昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させ、該結晶からウエハを切り出すII-VI族化合物半導体ウエハの作製方法において、前記結晶を直胴部の直径より長く成長させ、前記結晶のうち、種結晶表面から前記直径以上の距離だけ離れた部分からウエハを切り出したII-VI族化合物半導体ウエハ、及びその作製方法である。
請求項（抜粋）：
成長室中に原料多結晶を配置し、昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させ、該結晶からウエハを切り出すII-VI族化合物半導体ウエハの作製方法において、前記結晶を直胴部の直径より長く成長させ、前記結晶のうち、種結晶表面から前記直径以上の距離だけ離れた部分からウエハを切り出すことを特徴とするII-VI族化合物半導体ウエハの作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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