特許
J-GLOBAL ID：200903052581631117
ウェットエッチング方法及びウェット洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉原 省三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-356537
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196472
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ウェットエッチング或いは洗浄時のパターン倒れを防止するもので、特に密集した微細なパターン、或いは高アスペクトなパターンを倒すことなく、洗浄が行え歩留りの高い製品を得られる。【構成】 ポリシリコンの微細パターン4a、4bが形成し、その上にSiO2被エッチング膜2が形成され、その一部にレジストパターン3が形成されたSi基板1を用意する。膜2をフッ酸水でエッチングして水で基板1表面をリンスする。更に基板1上のリンス液をイソプロピルアルコールに置換する。その後冷却し、内部にドライアイスを満たしておいた圧力容器5内に試料を入れて急速加熱、加圧してイソプロピルアルコールは液状のCO2に置換される。更に臨界点にもってゆき、CO2をガス状にし乾燥を終了する。
請求項（抜粋）：
エッチング液を用いてエッチングを行い、該エッチング液を乾燥するウェットエッチング方法において、エッチング液の乾燥時に、該エッチング液又はこのエッチング液の置換液を臨界状態にして乾燥させることを特徴とするウェットエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 351
, H01L 21/308
