特許

J-GLOBAL ID：200903052588046341

半導体基板上の金属膜研磨用組成物及びこれを使用した半導体基板上の金属膜の平坦化方法

発明者： 酒谷 能彰 ,  上田 和正 ,  竹内 美明
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-230889
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135163
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板に於ける金属膜に対し高速研磨能を有すると共に、優れた金属膜/絶縁膜の研磨選択性を有する研磨用組成物を提供する。【解決手段】 (A)平均粒子径が3μ以下の酸化セリウム又は酸化セリウムを主成分とする金属酸化物よりなる研磨材、および(B)酸化剤よりなる研磨用組成物を用いる。

請求項（抜粋）：

(A)平均粒子径が3μm以下の酸化セリウム又は酸化セリウムを主成分とする金属酸化物よりなる研磨材、および(B)酸化剤より成ることを特徴とする半導体基板上の金属膜研磨用組成物。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z