特許

J-GLOBAL ID：200903052588998016

多重ゲートMOSFET

発明者： リチャード・ケイ・ウィリアムズ
出願人/特許権者： シリコニックス・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287598
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223799
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 軽負荷時にはゲートドライブ損失を低く抑え、通常負荷などにおいては伝導損失を低く抑えることのできるMOSFETを提供すること。【解決手段】 ソースと、ドレインと、ボディと、第1及び第2ゲートと、ゲートコントローラとを含み、前記第1ゲートのゲート幅は前記第2ゲートのゲート幅と異なっており、前記第1ゲートは前記ゲートコントローラの出力ターミナルに接続されており、前記第2ゲートは前記ゲートコントローラの前記出力ターミナルにスイッチを介して接続されており、前記スイッチが開いているとき、前記第1ゲートと前記第2ゲートが電気的に分離される多重ゲートMOSFETを提供する。

請求項（抜粋）：

ソースと、ドレインと、ボディと、第1及び第2ゲートと、ゲートコントローラとを含む多重ゲートMOSFETであって、前記第1ゲートのゲート幅は前記第2ゲートのゲート幅と異なっており、前記第1ゲートは前記ゲートコントローラの出力ターミナルに接続されており、前記第2ゲートは前記ゲートコントローラの前記出力ターミナルにスイッチを介して接続されており、前記スイッチが開いているとき、前記第1ゲートと前記第2ゲートが電気的に分離されることを特徴とする多重ゲートMOSFET。

FI (2件)：

H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 301 W