特許
J-GLOBAL ID:200903052589958484

配線基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-203537
公開番号(公開出願番号):特開2004-128481
出願日: 2003年07月30日
公開日(公表日): 2004年04月22日
要約:
【課題】コア基板の表面にのみビルドアップ層を有し且つ反りを生じないか、あるいは反りにくい配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】表面4および裏面5を有するコア基板2と、コア基板2の表面4および裏面5に個別に形成される表面配線層8および裏面配線層9と、上記コア基板2の表面4の上方に形成され且つ複数の絶縁層10,16とこれらの間に位置する複数の配線層14,20とからなるビルドアップ層BUと、上記コア基板2の裏面5の上方に形成される裏面絶縁層11と、を含み、かかる裏面絶縁層11は、下記(1)乃至(4)の少なくとも何れかの特性を有する、配線基板1。(1)ヤング率が4Gpa以上、(2)熱膨張率(RT〜Tg)が20ppm以上、(3)伸び率が4%以下、 (4)硬化収縮が1000ppm以上【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表面および裏面を有するコア基板と、 上記コア基板の表面および裏面に個別に形成される表面配線層および裏面配線層と、 上記コア基板の表面の上方に形成され且つ複数の絶縁層とこれらの間に位置する複数の配線層とからなるビルドアップ層と、 上記コア基板の裏面の上方に形成される裏面絶縁層と、を含み、 上記裏面絶縁層は、下記(1)乃至(4)の少なくとも何れかの特性を有する、 ことを特徴とする配線基板。 (1)ヤング率が4Gpa以上 (2)熱膨張率(RT〜Tg)が20ppm以上 (3)伸び率が4%以下 (4)硬化収縮が1000ppm以上
IPC (1件):
H05K3/46
FI (2件):
H05K3/46 T ,  H05K3/46 B
Fターム (12件):
5E346AA12 ,  5E346CC04 ,  5E346CC05 ,  5E346CC09 ,  5E346CC32 ,  5E346DD22 ,  5E346DD32 ,  5E346EE33 ,  5E346FF05 ,  5E346FF07 ,  5E346FF10 ,  5E346HH11

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