特許

J-GLOBAL ID：200903052592756833

微細装置の製造方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167421
公開番号（公開出願番号）：特開2001-347499
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：

【要約】【課題】 簡易で実用的な製造方法によって厚膜の機能性材料膜を高アスペクト比にパターニングして、動作特性の高いMEMSやルゲートフィルタなどを実現することが可能な微細装置の製造方法を提供する。【解決手段】 機能性材料層であるPZT層6a,6bを成膜するための高温プロセスにも耐えることができ、しかも高アスペクト比のパターニングが可能であり、また微細装置の製造工程全体に対するプロセス整合性も良好である、Si層2を型4として用いて、所望のPZT層6よりも深い溝状または間隙状のパターンの型4を形成し、その型4の窪みの部分を含む表面全体にPZT層6a,6b機能性材料層(膜)を成膜する。型4上に堆積しているPZT層6bを、その型4と共に除去して、PZT層6aのパターンのみを選択的に残して所望の機能性材料層のパターンを得る。

請求項（抜粋）：

シリコン層に所望の機能性材料層よりも深い溝状または間隙状のパターンを刻設して型を形成する工程と、少なくとも前記型のパターンの溝または間隙に、前記シリコン層よりも薄い層厚に前記機能性材料層を堆積させる工程と、前記型を除去して前記機能性材料層のパターンを得る工程とを含むことを特徴とする微細装置の製造方法。

IPC (4件)：

B81C 1/00 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/24

FI (4件)：

B81C 1/00 ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/22 A