特許

J-GLOBAL ID：200903052594899151

シリコン表面の活性化方法、これにより生成される分子パターン及びその分子パターンの使用方法

発明者： ウェッセルズ、ジュリナ ,  フォード、ウィリアム イー ,  安田 章夫
出願人/特許権者： ソニー インターナショナル (ヨーロッパ) ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (3件)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-353303
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244173
出願日： 2004年12月06日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】マイクロコンタクトプリンティグ法を用いて、分子をシリコン表面に高速でプリンティング、パターニングする方法を提供する。【解決手段】シリコン基板上の酸化膜を有する表面をHF処理により水素終端表面とし、塩化シアヌル処理により活性化シリコン表面を得た後、求核其を含むインクをつけたスタンプをこの表面に押しつけパターン転写をする。インクに使用した溶媒を使い洗浄した後、求核其を含む分子にさらし、残っている活性化シリコン表面を不動態化する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

分子をシリコン表面にパターニングするために該シリコン表面を活性化するシリコン表面の活性化方法において、 a)上記シリコン表面をHFで処理するステップと、 b)上記ステップa)から得られるシリコン基板を塩化シアヌルで処理するステップとを有するシリコン表面の活性化方法。

IPC (2件)：

H01L21/28 ,  H01L21/3205

FI (2件)：

H01L21/28 A ,  H01L21/88 B

Fターム (7件)：

4M104AA01 ,  4M104DD22 ,  5F033QQ00 ,  5F033RR04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04