特許

J-GLOBAL ID：200903052595259245

光電変換装置

発明者： 田代 和昭
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-329888
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156522
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】 パターン精度や、歩留を確保しつつ、開口率を稼ぐことにより、感度をより向上させた光電変換装置を、簡単な工程で、低コストで実現する。【解決手段】 基板101上に少なくとも、半導体層107からなる光電変換部を有する光電変換素子Sと、スイッチング素子Tと、配線とを有する光電変換装置において、少なくとも前記半導体層107は、前記スイッチング素子T上に遮光層として延在することを特徴とする光電変換装置。本発明によれば、センサ部Sを転送部Tの上に積層し、画素一杯の面積を窓として利用することで開口率を向上し、薄膜トランジスタ部Tでは、半導体層と遮光材を兼用し、同一プロセスで作製できるため、安価に実現でき、また、共通の半導体層をセンサと薄膜トランジスタの電極に適用することにより、工程の簡略化を行うことができる。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、半導体層からなる光電変換部を有する光電変換素子と、スイッチング素子と、配線とを有する光電変換装置において、少なくとも前記半導体層は、前記スイッチング素子上に延在することを特徴とする光電変換装置。

IPC (6件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/09 ,  H01L 31/108 ,  H04N 1/028 ,  H04N 5/335

FI (6件)：

H01L 31/10 A ,  H04N 1/028 Z ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 C ,  H01L 31/00 A ,  H01L 31/10 C

Fターム (70件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA07 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118GA10 ,  5C024AA01 ,  5C024CA12 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA02 ,  5C024GA51 ,  5C051AA01 ,  5C051BA03 ,  5C051BA04 ,  5C051DA06 ,  5C051DB01 ,  5C051DB04 ,  5C051DB06 ,  5C051DB08 ,  5C051DC02 ,  5C051FA00 ,  5F049MA04 ,  5F049MA05 ,  5F049MB03 ,  5F049MB04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NA20 ,  5F049NB03 ,  5F049NB10 ,  5F049PA01 ,  5F049PA14 ,  5F049RA06 ,  5F049SE02 ,  5F049SE05 ,  5F049SE09 ,  5F049SE11 ,  5F049SS01 ,  5F049UA14 ,  5F049WA03 ,  5F049WA07 ,  5F088AA03 ,  5F088AA04 ,  5F088AB03 ,  5F088AB04 ,  5F088AB05 ,  5F088BA01 ,  5F088BA03 ,  5F088BB07 ,  5F088CA02 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088FA02 ,  5F088FA09 ,  5F088HA10 ,  5F088LA07 ,  5F088LA08