特許

J-GLOBAL ID：200903052595851667

半導体装置およびその製造方法

発明者： 石川 克也
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-226050
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067684
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 埋め込み酸化膜層からの2次欠陥発生を低減し、デバイス領域での素子特性の劣化を防ぐ。【解決手段】 Si基板1に全面酸素イオン注入をした後で、高温熱処理で埋め込み酸化膜層2を形成する前に基板表面のSiデバイス領域外の例えばスクライブレーン領域に溝4を形成し、しかもその溝が埋め込み酸化膜層2にまで達し、そしてこの溝4がデバイス領域またはチップ素子を区画するように形成する。

請求項（抜粋）：

SIMOX構造の基板を用いた半導体装置であって、酸素イオン注入後で、埋め込み酸化膜層形成の熱処理前に、基板の表面に溝を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 21/265 J ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/78 L ,  H01L 27/10 671 C