特許

J-GLOBAL ID：200903052600913129

磁気抵抗式センサ要素のバイアス層の磁化設定方法、それに応じて加工されたセンサ要素またはセンサ要素システムならびにこの方法を実行するのに適したセンサ要素およびセンサ基板

発明者： ファン デン ベルク、 フーゴー ,  マタイス、ローラント
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-558354
公開番号（公開出願番号）：特表2002-519873
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2002年07月02日
要約：

【要約】少なくとも1つのバイアス層と、少なくとも1つの磁束案内層と、これらの間に配置され両方の層を反強磁性的に結合する少なくとも1つの結合層とから成るAAFシステム(人工反強磁性システム)の部分である、磁気抵抗式センサ要素の少なくとも1つのバイアス層の磁化設定方法において、a)予め定められた温度以上または以下にセンサ要素を加熱または冷却する過程と、b)加熱または冷却中及び/又は後に設定磁界を与える過程と、c)予め定められた時間の後に設定磁界をオフにする過程と、d)温度を出発温度に戻す過程とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのバイアス層と、少なくとも1つの磁束案内層と、これらの間に配置され両方の層を反強磁性的に結合する少なくとも1つの結合層とから成るAAFシステム(人工反強磁性システム)の部分である、磁気抵抗式センサ要素の少なくとも1つのバイアス層の磁化設定方法において、 a)予め定められた温度以上または以下にセンサ要素を加熱または冷却する過程と、 b)加熱または冷却中及び/又は後に設定磁界を与える過程と、 c)予め定められた時間の後に設定磁界をオフにする過程と、 d)温度を出発温度に戻す過程とを含んでいることを特徴とする磁気抵抗式センサ要素のバイアス層の磁化設定方法。