特許
J-GLOBAL ID：200903052624216119
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148732
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116139
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【構成】 GaAs基板1上に、n-AlGaAs下クラッド層2,p-AlGaAs活性層3,p-AlGaAs上クラッド層4,リッジ部6を挟むn-GaAs電流ブロック層5,p-GaAsコンタクト層7を有するレーザ装置において、n-GaAs基板1の一部にその主面にイオン注入もしくは拡散等により、導電型をp型に反転させたp-GaAs反転領域8を有し、これを受光領域とし、これに受光用電極11を設けた。【効果】 レーザ素子内に受光素子を組み込んでこれと一体に形成したため、別途受光素子を用意する必要がなくなり、装置のコストダウンが可能となる。
請求項（抜粋）：
ヘキ開端面が共振器端面となる半導体レーザ装置において、第1導電型の領域上に形成され、少なくとも,活性層と、これを挟む上下のクラッド層とからなるレーザ動作可能な半導体多重層と、上記半導体多重層に対し電流を供給し、該半導体多重層で光を発生させるための第1,及び第2の電極と、上記半導体多重層から発生した光が、これに直接入射できるように該半導体多重層の近傍に形成され、かつ上記第1導電型領域との間にpn接合を形成する第2導電型の領域と、上記第2導電型の領域と電気的に接触し、上記第1,又は第2の電極との間に電圧を印加することにより、外部への信号を取り出すことが可能な,第2導電型側の第3の電極とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 27/15
, H01S 3/00
