特許

J-GLOBAL ID：200903052626549778

半導体基板に端末バイアを形成する方法

発明者： 林 威志 ,  翁 正明 ,  陳 俊雄
出願人/特許権者： プロモス テクノロジー インコーポレイテッド ,  モーゼル バイテリック インコーポレイテッド ,  ジーメンス・アー・ゲー
代理人 (1件)： 福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276062
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102405
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 試験区域の金属導線がエッチングの過程において破損しないよう、半導体基板上に端末バイア(terminal via) を形成する方法を提供すること。【解決手段】 ボンディングパッドを備える回路区域と金属導線を備える試験区域を含むとともに、前記ボンディングパッドと前記金属導線の表面には共に窒化チタン層を備える半導体基板を与える工程と、前記基板上に誘電体層を蒸着させる工程と、前記誘電体層をエッチングして前記ボンディングパッドと前記金属導線を露出させ、さらにSF6 をエッチングガスとして前記ボンディングパッドと前記金属導線の表面の窒化チタンをエッチング除去する工程とからなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ボンディングパッドを備える回路区域と金属導線を備える試験区域を含むとともに、前記ボンディングパッドと前記金属導線の表面には共に窒化チタン層を備える半導体基板を与える工程と、前記基板上に誘電体層を蒸着させる工程と、前記誘電体層をエッチングして前記ボンディングパッドと前記金属導線を露出させ、さらにSF6 をエッチングガスとして前記ボンディングパッドと前記金属導線の表面の窒化チタンをエッチング除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板上に端末バイアを形成する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/66 E ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D

Fターム (28件)：

4M106AD10 ,  4M106AD24 ,  4M106AD26 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB07 ,  5F004DB12 ,  5F004EA22 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F044EE04 ,  5F044EE07 ,  5F044EE14 ,  5F044EE21