特許
J-GLOBAL ID：200903052627927393
Ga添加CZ単結晶およびウエーハ並びにその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000002850
公開番号（公開出願番号）：WO2000-073542
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2000年12月07日
要約：
【要約】本発明によれば、チョクラルスキー法で製造したドープ剤としてGa(ガリウム)を添加したシリコン単結晶であって、抵抗率が5Ω・cm〜0.1Ω・cmであるシリコン単結晶、およびチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、ルツボ内のシリコン融液にGaを添加した後、該シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶棒を育成することを特徴とするGa添加シリコン単結晶の製造方法が提供される。これにより、高い酸素濃度を有する単結晶であっても、光劣化を生じることなく光エネルギーの変換効率が非常に高い太陽電池を作製するためのシリコン単結晶およびシリコン単結晶ウエーハ、並びにそれらの製造方法が提供される。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法で製造したドープ剤としてGa(ガリウム)を添加したシリコン単結晶であって、抵抗率が5Ω・cm〜0.1Ω・cmであることを特徴とするシリコン単結晶。
IPC (4件)：
C30B 15/04
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
, H01L 31/04
C30B 15/04
, C30B 29/06 502 H
, H01L 21/208 P
, H01L 31/04 H
