特許

J-GLOBAL ID：200903052649044576

半導体装置およびその製造方法

発明者： 江尻 洋一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-216994
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065015
出願日： 1996年08月19日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 fTmax を向上させるには各接合領域を浅い状態とすることが必要になるが、それにともなってBVceo が低下するので、それを両立する横型バイポーラトランジスタと縦型バイポーラトランジスタとが要求されていた。【解決手段】 シリコン基板11上に形成される横型バイポーラトランジスタ2であって、ベースとコレクタとの接合にシリコンとシリコンゲルマニウムとのヘテロ接合層21を有するものである。そして同一シリコン基板11に、上記横型バイポーラトランジスタ2と、シリコンとシリコンゲルマニウムとのヘテロ接合層をベースとコレクタとの接合に有する縦型バイポーラトランジスタ(図示省略)とを形成したものである。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成される横型バイポーラトランジスタからなる半導体装置であって、前記横型バイポーラトランジスタはシリコンとシリコンゲルマニウムとのヘテロ接合層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8224 ,  H01L 27/082 ,  H01L 29/165 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 27/08 101 V ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/72