特許

J-GLOBAL ID：200903052649200101

半導体装置

発明者： 中村 嘉文 ,  別所 芳宏 ,  祐伯 聖 ,  板垣 峰広
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085923
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302760
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の雑音対策の1つであるパスコンデンサという実装部品として必要だったパスコンデンサ部品を削減、低コスト化を図る。【構成】 本発明によると半導体素子2をフリップチップで実装したセラミック基板1を本体とした半導体装置の基板内部に、グランド層と電源層からなる容量発生領域を形成することで、1つの半導体素子2に対し1つのパスコンデンサを持たせることができ、雑音対策として有効な半導体装置が可能となる。そのため、実装部品として必要だったパスコンデンサ部品を削減できる。

請求項（抜粋）：

セラミック多層基板に1つの半導体素子をフリップチップで実装してなる半導体装置において、基板内部に導体層と誘電体層を複数層相互に重なり合わせ容量発生領域を形成する事を特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 25/00 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/12 B ,  H01L 23/12 Q

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-168663
  
• 特開平2-177350
  
• 特開昭63-004662
  
• 特開昭61-112369