特許

J-GLOBAL ID：200903052659527583

SOI基板及びその製造方法

発明者： 荒井 三千男 ,  山内 幸夫
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社 ,  株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 山谷 晧榮 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026546
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222714
出願日： 1995年02月15日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 SOI基板の貼り合わせ対象が半導体のみならずセラミック基板、ガラス基板、石英基板等の半導体以外の基板にも可能としたもの。【構成】 Si板1と基板5とを、AlやInのような接着メタル3、4で接合したSOI基板。

請求項（抜粋）：

Si板と基板とを接着メタルで接合したことを特徴とするSOI基板。

IPC (6件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/314 M ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 627 D