特許

J-GLOBAL ID：200903052665029552

半導体レーザの製造方法

発明者： 村上 隆志
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192615
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013876
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 高出力動作可能な埋込型半導体レーザ構造を再現性良く得ることができる製造方法を提供する。【構成】 1回目の結晶成長工程で、n-InP上クラッド層4上にn-AlGaInAs層を成長させ、このn-AlGaInAs層を埋込成長の際の選択成長マスクとして利用する。

請求項（抜粋）：

InPを基板とし、InPをクラッド層とする埋込型半導体レーザを製造する方法において、InP上クラッド層上にAlGaInAs層を連続成長させた後、InP下クラッド層,活性層,InP上クラッド層,前記AlGaInAs層をエッチングしてメサを形成する工程と、該AlGaInAs層を選択成長マスクとして、液相成長による埋込成長を行う工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。