特許
J-GLOBAL ID：200903052666511013
層状クラスターの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157295
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345332
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：
【要約】【目的】 強磁性材料,反強磁性材料,超伝導材料,高感度センサ,磁気記録媒体,ナノ磁石等として有用なクラスター集合体を得る。【構成】 スパッタ室10で発生した蒸気を単分散状態でクラスター成長室20及び差動排気室30を経てクラスター堆積室40に送り、基板42上に堆積させる際、クラスター堆積室40に導入した反応性ガス,金属蒸気,化合物蒸気の1種又は2種以上と単分散状態のクラスターとを反応させる。反応性ガスとしてはO2 ,N2 ,O3 ,H2 ,炭化水素ガス等、金属蒸気としてはカーボン,Cu,Ag,Au,Al,Si,Ge等,化合物蒸気としてはスパッタ蒸発した金属酸化物,遷移金属カルボニル,アルコール等が使用される。【効果】 単分散状態のクラスターが酸化物,窒化物,半導体,異種金属等で表面修飾又は表面被覆され、クラスター本来の機能が高められ、又は異種機能が付与される。
請求項（抜粋）：
清浄雰囲気に維持されたスパッタ源をターゲットとして希ガス中でスパッタリングすることにより発生させた気体原子を凝縮させて単分散サイズのクラスターを形成し、クラスター成長室及び差動排気室を経てクラスター堆積室に送り、クラスター堆積室内に設置された基板上に堆積させる際、クラスター堆積室に導入された反応性ガス,金属蒸気,化合物蒸気の1種又は2種以上と単分散状態のクラスターとを反応させて被覆することを特徴とする層状クラスターの製造方法。
Fターム (6件)：
4K029BA41
, 4K029BA43
, 4K029BA55
, 4K029BA58
, 4K029CA06
, 4K029DA04
