特許

J-GLOBAL ID：200903052671626392

マルチビット磁気メモリセル

発明者： ジャニス・エイチ・ニッケル ,  マノイ・バータッチャヤ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-231235
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124446
出願日： 2002年08月08日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】MRAMの記憶密度を増加させること。【解決手段】磁気メモリセル(10)は、直列に接続された第1および第2の磁気抵抗素子(12,14)を含む。第1および第2の磁気抵抗素子(12,14)は、異なる保磁力(L1,L2)を有するセンス層(18,24)を有する。磁気ランタ ゙ムアクセスメモリ(MRAM)素子(812)は、これらのメモリセル(10)のアレイを含むことができる。

請求項（抜粋）：

直列に接続された第1および第2の磁気抵抗素子(12、14)を含む磁気メモリセル(10)であって、前記第1の磁気抵抗素子(12)が第1のセンス層(18)を有し、前記第2の磁気抵抗素子(14)が第2のセンス層(24)を有し、前記第1および第2のセンス層(18、24)が異なる保磁力(L1、L2)を有する、磁気メモリセル。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 112 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA21