特許

J-GLOBAL ID：200903052673338815

半導体ウエハのバックグラインド方法、半導体ウエハのダイシング方法、及び半導体チップの実装方法

発明者： 永井 朗 ,  川端 泰典 ,  榎本 哲也
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  近藤 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-053772
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212300
出願日： 2008年03月04日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】半導体ウエハ上に形成される接着剤層の性能低下が抑えられる半導体ウエハのバックグラインド方法、半導体ウエハのダイシング方法、及び半導体チップの実装方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ10のバックグラインド方法は、突出電極10aを埋め込むように、半導体ウエハ10の主面S1上に絶縁性接着剤層13を形成する接着剤層形成工程と、接着剤層形成工程で形成された絶縁性接着剤層13上にバックグラインドテープBTを設置するテープ設置工程と、バックグラインドテープBTが設置された面の反対側に位置する半導体ウエハの裏面S2を研削し、半導体ウエハ10を薄化する研削工程と、を備える。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

突出電極が主面から突出して形成された半導体ウエハを薄化するバックグラインド方法であって、 前記突出電極を埋め込むように、前記半導体ウエハの前記主面上に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、 前記接着剤層形成工程で形成された前記接着剤層上にバックグラインドテープを設置するテープ設置工程と、 前記バックグラインドテープが設置された面の反対側に位置する前記半導体ウエハの裏面を研削し、前記半導体ウエハを薄化する研削工程と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインド方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/60

FI (5件)：

H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622J ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 M ,  H01L21/60 311S

Fターム (4件)：

5F044KK01 ,  5F044LL11 ,  5F044RR17 ,  5F044RR19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-226707   出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-226707   出願人：古河電気工業株式会社
• チップスケールパッケージの製造方法及びICチップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-230854   出願人：シチズン時計株式会社