導電性組成物、感光性レジスト、帯電防止剤および半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372383
公開番号（公開出願番号）：特開2000-191916
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
要約：

【要約】【課題】EB露光時、RIE時のチャージアップを防止する導電性反射防止膜を提供する。【解決手段】ポリシラン反射防止膜に四級アンモニウム塩を添加する。

請求項（抜粋）：

少なくとも下記(1)及び(2)を含有することを特徴とする導電性組成物。(1)四級アンモニウム塩(2)下記一般式(i)または(ii)に示される繰り返し単位から選択される少なくとも1つの繰り返し単位を有するポリシランを含有する有機けい素ポリマー【化1】(ただしR1、R2は同じであっても異なっていてもよく、炭素数1-20の置換または無置換の、アルキル基、アリール基、あるいはアラルキル基を示す)

IPC (7件)：

C08L 83/16 , C08K 5/19 , C08K 5/3445 , C09K 3/16 105 , G03F 7/004 501 , G03F 7/075 521 , H01L 21/027

FI (9件)：

C08L 83/16 , C08K 5/19 , C08K 5/3445 , C09K 3/16 105 D , G03F 7/004 501 , G03F 7/075 521 , H01L 21/30 502 A , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 541 P

Fターム (24件)：

2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025CC09 , 2H025DA34 , 4J002CP011 , 4J002EN136 , 4J002EU046 , 4J002EU056 , 4J002EU116 , 4J002EU166 , 4J002EV326 , 4J002FD116 , 4J002FD140 , 4J002GH02 , 4J002GP03 , 5F046AA02 , 5F046AA09 , 5F046AA17 , 5F046JA22 , 5F046JA25 , 5F046PA10 , 5F056AA31 , 5F056CC04 , 5F056DA23

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