特許
J-GLOBAL ID：200903052694539721
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361317
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176966
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 ボンディングを伴うストレスによる層間絶縁膜および配線層、入出力パッド、表面保護膜等の損傷を低減する。【解決手段】 半導体基板上に設けられた入出力パッド2下に層間絶縁膜9を介して配線層7を有し、この配線層7および入出力パッド2間を電気的に接続するコンタクト8が形成されるとともに、入出力パッド2上に形成された表面保護膜3に保護膜開口4が形成され、この保護膜開口4を含む半導体基板上に入出力パッド2に接続される突起電極5を形成した半導体装置であって、コンタクト8は保護膜開口4のエッジから一定の距離を離して配置した。このように、保護膜開口4のエッジの真下を避けてコンタクト8を形成することにより、保護膜開口4のエッジの真下は平らな層間絶縁膜9となり、ボンディングによるストレス集中にも十分耐えることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた入出力パッド下に層間絶縁膜を介して配線層を有し、この配線層および前記入出力パッド間を電気的に接続するコンタクトが形成されるとともに、前記入出力パッド上に形成された表面保護膜に保護膜開口が形成され、この保護膜開口を含む半導体基板上に前記入出力パッドに接続される突起電極を形成した半導体装置であって、前記コンタクトは前記保護膜開口のエッジから一定の距離を離して配置したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/90 A
, H01L 21/92 602 J
5F033HH07
, 5F033HH13
, 5F033HH18
, 5F033JJ01
, 5F033JJ07
, 5F033JJ13
, 5F033JJ18
, 5F033KK08
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ37
, 5F033RR06
, 5F033SS15
, 5F033UU01
, 5F033VV07
, 5F033XX17
