特許
J-GLOBAL ID：200903052695736385
レーザーによる回路形成方法及び導電回路形成部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211372
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066531
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 表面に正確な導電回路を有する成形品を、効率よく製造する方法を提供する。【構成】 合成樹脂成形品の表面に予め化学メッキ等により金属被覆加工を行って厚さが 0.2〜2μm の金属薄膜を形成し、次いで該薄膜表面の絶縁回路となる部分の輪郭線上にレーザー光を照射して金属薄膜を除去し、絶縁回路となる部分を絶縁閉回路で囲んだ後、導電回路となる部分に電気メッキを行い所望の厚さの回路を形成した後、エッチング液によりフラッシュエッチングを行い絶縁回路となる部分に残った金属薄膜を除去し回路形成を行う。
請求項（抜粋）：
合成樹脂成形品の表面に導電性回路を形成するにあたり、金属被覆可能な合成樹脂成形品の表面に予め化学メッキ、スッパタリング、真空蒸着、イオンプレーティング、転写法又は導電剤塗装の何れかの方法により金属被覆加工を行って厚さが 0.2〜2μm の金属薄膜を形成し、次いで該薄膜表面の絶縁回路となる部分の輪郭線上にレーザー光を照射して金属薄膜を除去し、絶縁回路となる部分を絶縁閉回路で囲んだ後、導電回路となる部分に電気メッキを行い所望の厚さの回路を形成した後、エッチング液によりフラッシュエッチングを行い絶縁回路となる部分に残った金属薄膜を除去し回路形成を行うことを特徴とするレーザーによる回路形成方法。
IPC (2件)：
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