特許

J-GLOBAL ID：200903052697616301

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 宮下 勝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-270873
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093287
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 書き込み特性に基づき消去特性を予測し、それに応じて設定した消去条件に従ってメモリ消去を行い、消去後のしきい値電圧を高精度に制御できる不揮発性半導体記憶装置を実現する。【解決手段】 消去特性推定手段はメモリセルの書き込み特性に基づき、例えば、予め取得した書き込み特性と消去特性との相関関係に応じて消去特性を推定し、得られた消去特性情報を記憶手段に記憶する。消去動作のとき、消去手段によって、記憶した消去特性情報に応じて消去条件、例えば、所定のしきい値電圧に達するまでの消去パルスの印加回数を設定し、それに従って消去動作を行うので、消去後のメモリセルのしきい値電圧を予め設定した消去目標値の近傍に制御することができ、消去ベリファイを行うことなく消去後のメモリセルのしきい値電圧を高精度に制御できる。

請求項（抜粋）：

書き込み及び消去により、電荷蓄積層であるフローティングゲートの蓄積電荷量を制御し、しきい値電圧を少なくとも2つの異なるレベルに設定し、当該しきい値電圧に応じた情報を記憶するメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置であって、上記メモリセルの書き込み特性に応じて、上記メモリセルの消去特性を推定する消去特性推定手段と、上記消去特性推定手段によって推定した消去特性情報を記憶する特性記憶手段と、消去時に上記特性記憶手段に記憶した上記消去特性情報に応じて、上記メモリセルの消去条件を決定し、当該消去条件に従って上記メモリセルに対して消去動作を行う消去手段とを有する不揮発性半導体記憶装置。

Fターム (7件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE08