特許
J-GLOBAL ID：200903052703976536

一体化逆並列接合障壁ショットキーフリーホイーリングダイオードを備えた炭化珪素MOSFETおよびその製造方法

発明者：
セイ-ヒュン リュウ

セイ-ヒュン リュウ について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-508767
公開番号（公開出願番号）：特表2006-524432
出願日： 2004年02月19日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
炭化珪素DMOSFETおよびDMOSFETのダイオードに内蔵された少なくとも部分的にバイパスする構成の一体型炭化珪素ショットキー(Schottky)ダイオードを備える炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体の製造方法。ショットキーダイオードは接合障壁ショットキーダイオードの場合があり、DMOSFETの内蔵ボディダイオードのターンオン電圧より低いターンオン電圧を有する場合がある。ショットキーダイオードは、DMOSFETの活性領域より狭い活性領域を有する場合がある。
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体装置であって、 炭化珪素DMOSFETと、および 前記DMOSFETの内蔵ボデイダイオードのターンオン電圧より低いターンオン電圧を有する構成の一体型炭化珪素ショットキー(Schottky)ダイオードと を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (5件)：
H01L29/78 657A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/48 F
Fターム (12件)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 米国特許第5,506,421号明細書
  • 米国特許出願第09/834,283号明細書
  • 米国特許出願第09/968,391号明細書
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審査官引用 (7件)
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