特許
J-GLOBAL ID：200903052708826494
接合部の評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272577
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124991
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 マスク下のP型接合部の横方向の接合境界分布を容易に高精度にて評価できる方法を提供する。【構成】 N型半導体基板にP型不純物層を選択拡散した試料1のN型領域に電極を設け、陽極酸化液2の中に浸す。このときに電極は陽極酸化液2の中には浸からない構造とする。そして、直流電源4のプラスを試料1に接続し、もう一方に白金電極3を設けてマイナスに接続し、同様に陽極酸化液2中につける。そして、定電流において陽極化成して酸化膜を成長させる。陽極酸化液2としては、Nメチルアセトアミドに硝酸カリを溶かした液を用いる。
請求項（抜粋）：
N型半導体層に電極を取り付け、P型不純物層に電極をとることなく陽極酸化液に浸し、前記N型半導体層にプラスの電位をとり、前記陽極酸化液中に白金電極を浸してマイナスの電位として陽極酸化することを特徴とする接合部の評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 27/26
, G01N 33/00
