特許

J-GLOBAL ID：200903052717868230

成膜処理方法

発明者： 赤尾 徳信
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188996
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011641
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：

【要約】【課題】プラズマを使用した成膜処理方法に於いて、電極の経時変化による膜厚速度の低下を補正し、而もスループットの低下を防止する。【解決手段】処理室6内に設けられた電極15に高周波電力を印加させてプラズマ19を発生させ、成膜処理及びガスクリーニングを行う成膜処理方法に於いて、成膜処理を所定回数実施する毎にガスクリーニングを行い、ガスクリーニング後の成膜処理では印加する高周波電力を増大し、発生するプラズマの状態を所定の状態に維持する。

請求項（抜粋）：

処理室内に設けられた電極に高周波電力を印加させてプラズマを発生させ、成膜処理及びガスクリーニングを行う成膜処理方法に於いて、成膜処理を所定回数実施する毎にガスクリーニングを行い、ガスクリーニング後の成膜処理では印加する高周波電力を増大させることを特徴とする成膜処理方法。

IPC (5件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 N

Fターム (28件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA16 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F004AA15 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA25 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC15 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045EB05 ,  5F045EB06 ,  5F045EB11 ,  5F045EF05 ,  5F045EG02 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20