特許

J-GLOBAL ID：200903052722896160

面発光型半導体レーザ、光モジュール、ならびに光伝達装置

発明者： 西田 哲朗
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-317293
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086027
出願日： 2003年09月09日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】 戻り光が低減された面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザ100は、半導体基板101と、半導体基板101の上方に設けられた活性層103と、活性層103の上方に設けられ、活性層103にて生じたレーザ光を半導体基板101と垂直方向に出射する出射面108と、出射面108上に設けられ、前記レーザ光の一部を吸収する吸収層110と、を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の上方に設けられた活性層と、 前記活性層の上方に設けられ、前記活性層にて生じたレーザ光を前記半導体基板と垂直方向に出射する出射面と、 前記出射面上に設けられ、前記レーザ光の一部を吸収する吸収層と、 を含む、面発光型半導体レーザ。

IPC (1件)：

H01S5/183

FI (1件)：

H01S5/183

Fターム (12件)：

5F073AA11 ,  5F073AA65 ,  5F073AA73 ,  5F073AA85 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA26