特許
J-GLOBAL ID:200903052726490231

ポジ型フオトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-263694
公開番号(公開出願番号):特開平7-120916
出願日: 1993年10月21日
公開日(公表日): 1995年05月12日
要約:
【要約】【目的】 特に半導体デバイスの製造において、高解像力、フオトマスク線幅の広い範囲にわたってマスク寸法の高再現性、高アスペクト比を有する断面形状、断面の側壁が垂直に近い形状、広い現像ラチチユード、高耐熱性、良好な保存安定性、を有するポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【構成】 下記一般式(I)で表されるポリヒドロキシ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/又は-4-)スルホン酸エステルとアルカリ可溶性樹脂を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】
請求項(抜粋):
下記一般式(I)で表されるポリヒドロキシ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/又は-4-)スルホン酸エステルとアルカリ可溶性樹脂を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】ここで、R1〜R8:同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、アルケニル基、ニトロ基もしくはシアノ基、R9〜R12:同一でも異なっても良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、アルケニル基、ニトロ基もしくはシアノ基、A:-O-,-S-,-SO-,-SO2-,-SO3-,-NH-,-SO2-NH-,単結合もしくは【化2】R13〜R14:同一でも異なっても良く、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基もしくはアルコキシ基、n:4もしくは5、を表す。
IPC (2件):
G03F 7/022 ,  H01L 21/027

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