特許

J-GLOBAL ID：200903052738179035

バンプ表面処理方法

発明者： 入江 寛治
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-191290
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132291
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 表面付着物の生成を防ぎ、ブラシ法による手作業を廃し、ICチップの歩留まりを向上することのできるバンプ形成方法を提供する。【構成】 ウエハ-を100°Cのレジスト剥離液にて表面層のライトエッチングの後水洗し、次いで水酸化ナトリウム等の強アルカリ水溶液中に10〜30秒入れて剥離反応層111の還元を行い、次にアンモニア水溶液中にてNaOH反応層112を除去し、次いで水、熱水でNH3 残留物113を除去し、最後にアルコ-ル洗浄により微量に残る可能性のあるNaイオン、アンモニアその他の不純物を除去する。

請求項（抜粋）：

ウエハ-上の全面に蒸着により中間金属層を形成する工程と、パタ-ンを形成する工程と、開口部を残してレジストを塗布する工程と、開口部にメッキを形成する工程と、メッキ上にハンダをメッキしてバンプを形成する工程と、中間金属層をバンプ周辺のみ残してエッチングする工程と、リフロ-によりハンダを丸める工程とよりなるバンプの形成方法に於いて、中間金属層のエッチング後に強アルカリ水溶液、及びアンモニア水に浸漬する工程を附加することを特徴とするバンプ表面処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/321 ,  C23F 1/00 104 ,  C23G 1/14 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306