特許

J-GLOBAL ID：200903052743753041

半導体記憶装置

発明者： 中井 潤
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-027636
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219092
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 セルフリフレッシュモードでの消費電力を低減することである。【解決手段】 セルフリフレッシュモードでは、「L」レベルの信号ZBBUを、通常モードでは、「H」レベルの信号ZBBUを、NMOS199に入力する。これにより、基板電圧Vbbのクランプレベルが、セルフリフレッシュモードの方が、通常モードより大きくなる。言い換えると、セルフリフレッシュモードでは、負の値を有する基板電圧Vbbが大きくなり、ポーズリフレッシュの実力が高まる。このため、セルフリフレッシュモードにおいて、内部/RASのインターバルを長くすることができ、消費電力の低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

通常モードと、特殊モードとを有する半導体記憶装置であって、出力ノードに負の値を有する基板電圧を発生する基板電圧発生手段を備え、前記基板電圧発生手段は、前記出力ノードの電位レベルを検知する検知手段と、前記検知手段が検知した電位レベルに応じて、前記基板電圧を発生する電圧発生手段とを含み、前記検知手段は、前記出力ノードの電位が所定電位より大きくなった場合に、前記電圧発生手段を動作させ、前記検知手段は、前記特殊モードに入ったことを示す信号に応じて、通常モードのときより、前記所定電位を大きく設定する、半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/403 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/407

FI (3件)：

G11C 11/34 363 M ,  G11C 11/34 335 C ,  G11C 11/34 354 F