特許
J-GLOBAL ID：200903052746251454
半導体加速度検出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村上 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045890
公開番号（公開出願番号）：特開平5-215768
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：
【要約】【目的】 半導体加速度検出装置の温度特性変化を低減する。【構成】 半導体加速度センサチップ1の表面保護膜となっているシリコン酸化膜4を3000Å以下にすることにより、チップのバイメタル効果を低減するようにした。【効果】 精度の良い半導体加速度検出装置が得られる。
請求項（抜粋）：
一端が固定され、他端を自由端とした半導体加速度センサチップと、この半導体加速度センサチップに形成されたゲージ抵抗と、表面酸化膜を備えたものにおいて、上記酸化膜厚を3000Å以下にて形成したことを特徴とする半導体加速度検出装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
