ヒユーズ抵抗器およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223783
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077016
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】低溶断電力の角チツプヒユーズ抵抗器を提供する。【構成】所定サイズの絶縁基板10の一方の面に、所定サイズの第1の蓄熱層42を形成し、第1の抵抗体層42を略覆うように所定サイズの抵抗体30を形成する。さらに、抵抗体30の両端部近傍に重畳するように電極20,21を形成した後、抵抗体30をトリミングして、ヒユージングポイントを形成し、抵抗値を調整する。さらに、ヒユージングポイント30dを略覆うように、第2の蓄熱層41を形成する。

請求項（抜粋）：

所定サイズの絶縁基板に形成されたヒユーズ抵抗器であつて、前記絶縁基板の一方の面に形成した所定サイズの第1の蓄熱層と、前記第1の蓄熱層を略覆うように形成した所定サイズの抵抗体層と、前記抵抗体層の両端部近傍にそれぞれ重畳するように形成した少なくとも2つの電極部と、前記第1の蓄熱層上において前記抵抗体層の電流路断面積を制限する少なくとも1つの溝部と、前記溝部近傍を略覆うように形成した第2の蓄熱層とを有することを特徴とするヒユーズ抵抗器。

IPC (5件)：

H01C 13/00 , H01C 7/00 , H01C 7/13 , H01C 17/06 , H01C 17/24

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-065046
特開昭63-073501
特開昭62-055832

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