特許
J-GLOBAL ID：200903052747190092
マスクパタ-ン補正システムとその補正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076065
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003028
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 測定データを用いて、実際の半導体集積回路のパターンを正確且つ高速に補正することが困難であった。【解決手段】 異なる照明条件に基づいて、半導体集積回路の複数のパターンデータの空間イメージシミュレーションを行い(62)、この空間イメージシミュレーションの結果に基づいて、各照明条件におけるパターン・バイアスを算出する(63)。半導体集積回路の複数のパターンデータは実際の回路パターンに対応したCADデータである。照明条件を変えて製造した評価パターンを電気的に測定してパターン・バイアスを求め(66)、このパターン・バイアスがゼロとなる照明条件と同一の照明条件によりシミュレートして求めたパターン・バイアスからマスクパターンの補正値を求める(67)。
請求項（抜粋）：
異なる照明条件において、半導体集積回路の複数のパターンデータの光学像シミュレーションを行い、この光学像シミュレーションの結果に基づいて、前記各照明条件間における前記半導体集積回路の複数のパターン部のパターン寸法差を算出するシミュレータと、前記異なる照明条件において、半導体集積回路の特性を評価するための評価パターンを製造する製造装置と、前記製造装置により製造された前記半導体集積回路の評価パターンの仕上がり寸法を測定する測定装置と、前記測定装置により測定された仕上がり寸法より前記半導体集積回路のそれぞれのパターンにおいてその寸法が所望値となる照明条件を求める第1の演算部と、前記第1の演算部により求めたパターン寸法が所望値となる照明条件におけるパターン寸法と所望の照明条件におけるパターン寸法との差を前記シミュレータにより算出し、その値をマスクパターンの補正値とする第2の演算部とを具備することを特徴とするマスクパターン補正システム。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, G01B 11/02
, H01L 21/027
, G06F 17/50
G03F 1/08 A
, G01B 11/02 Z
, H01L 21/30 502 P
, G06F 15/60 658 M
