特許

J-GLOBAL ID：200903052747775708

透明導電性積層体

発明者： 山▲崎▼ 文晴 ,  岡村 友之 ,  福田 伸
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-182265
公開番号（公開出願番号）：特開平10-024520
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【解決手段】 基体50(A)の一方の主面に、少なくとも、実質的にインジウムとスズとの酸化物からなる薄膜層60(B)、金属薄膜層70(C)、実質的にインジウムとスズとの酸化物からなる薄膜層80(D)を、ABCDなる順序で形成した透明導電性積層体において、基体(A)に、一方の面に酸化珪素薄膜12が形成された高分子フィルム10の、該酸化珪素薄膜12が形成された面と、他の高分子フィルム11とを貼り合わせたラミネートフィルム50であることを特徴とする透明導電性積層体。【効果】 抵抗値が低く、水蒸気遮断性を有する透明導電性積層体を提供できる。

請求項（抜粋）：

基体(A)の一方の主面に、少なくとも、実質的にインジウムとスズとの酸化物からなる薄膜層(B)、金属薄膜層(C)、実質的にインジウムとスズとの酸化物からなる薄膜層(D)を、ABCDなる順序で形成した透明導電性積層体において、基体(A)が、少なくとも、一方の面に酸化珪素薄膜が形成された高分子フィルムの該酸化珪素薄膜が形成された面と、他の高分子フィルムとを貼り合わせたラミネートフィルムであることを特徴とする透明導電性積層体。

IPC (7件)：

B32B 9/00 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 15/04 ,  C23C 14/08 ,  H01B 5/14 ,  H05B 33/28

FI (7件)：

B32B 9/00 A ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 15/04 Z ,  C23C 14/08 D ,  H01B 5/14 A ,  H05B 33/28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特表平4-504388
  
• 特開昭63-252308
  
• 特開平3-063127
  
• 特開平4-099263