特許

J-GLOBAL ID：200903052747905997

半導体装置の製造方法

発明者： 水野 謙和
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-307243
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118070
出願日： 2000年10月06日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 PH3(ホスフィン)を用いて、バッチ式の反応炉にてシリコン膜に燐ドープするに当たり、ウェハ内の燐(P)濃度を高める。【解決手段】 ウェハ5を熱処理する反応炉1、3内に、ホスフィン又はホスフィンを含む混合ガスを導入することにより、ウェハ5のシリコン膜中に燐を拡散させる熱拡散工程を有する半導体装置の製造方法において、ウェハ5をローディングするときの炉内温度を350°C以下に設定して、ウェハ5に対する自然酸化膜の成長を抑制し、熱拡散工程時の炉内圧力を250Torr以上に設定して、ウェハ5上にドープされるP濃度を高める。

請求項（抜粋）：

基板を熱処理する反応炉内に、ホスフィン又はホスフィンを含む混合ガスを導入することにより、基板のシリコン膜中に燐を拡散させる熱拡散工程を有する半導体装置の製造方法において、前記熱拡散工程を実行する時の反応炉内の圧力を250Torr以上に設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/223 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22

FI (3件)：

H01L 21/223 V ,  H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/22 511 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-219927
  
• 熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-013532   出願人：東京エレクトロン株式会社