特許
J-GLOBAL ID：200903052751307514
光起電力素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177440
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027631
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【目的】 新しいドーピング層の構造及び形成方法を導入することによって、実用に適した低コストで、信頼性が高く、かつ、光電変換効率の高い光起電力素子及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明の光起電力素子の製造方法は、p型半導体層及びn型半導体層からなる2つのドーピング層が、i型半導体層を介して積層されたpin型の半導体接合をなす構造体を有し、かつ、少なくとも前記i型半導体層の上に位置する前記ドーピング層Dの結晶形態が非結晶質である光起電力素子の製造方法において、前記ドーピング層Dのバンドギャップを拡大する元素をαとしたとき、前記i型半導体層の上に前記ドーピング層Dを形成した後、前記ドーピング層Dの表面を、前記αを含むプラズマに曝すことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
p型半導体層及びn型半導体層からなる2つのドーピング層が、i型半導体層を介して積層されたpin型の半導体接合をなす構造体を有し、かつ、少なくとも前記i型半導体層の上に位置する前記ドーピング層Dの結晶形態が非単結晶である光起電力素子の製造方法において、前記ドーピング層Dのバンドギャップを拡大する元素をαとしたとき、前記i型半導体層の上に前記ドーピング層Dを形成した後、前記ドーピング層Dの表面を、前記αを含むプラズマに曝すことを特徴とする光起電力素子の製造方法。
FI (3件)：
H01L 31/04 N
, H01L 31/04 W
, H01L 31/04 V
