半導体薄膜の形成方法、パルスレーザ照射装置、および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199482
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021776
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】アモルファス化あるいは微結晶化が生じることがなく、理想的な熱平衡過程により近い溶融再結晶化過程を経て結晶質シリコン薄膜を形成することのできる半導体薄膜の形成方法を提供することにある。【解決手段】シリコンを主成分とする半導体薄膜の形成方法であって、光照射エネルギーによる少なくとも一回の溶融固化過程を有し、その最終固化過程における最大冷却速度を1.6×1010°C/sec以下にする。

請求項（抜粋）：

シリコンを主成分とする半導体薄膜の形成方法であって、光照射エネルギーによる少なくとも一回の溶融固化過程を有し、その最終固化過程における最大冷却速度を1.6×1010°C/sec以下にすることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 627 G

Fターム (8件)：

5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA18 , 5F052CA04 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052EA16 , 5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-256968 出願人：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-317883 出願人：富士通株式会社
パルスガスレーザ発振装置、レーザアニール装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-164586 出願人：株式会社東芝

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