特許
J-GLOBAL ID：200903052752569415
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273333
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130864
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】ホールストッパー領域を真性ベース領域下に形成し、かつ高性能縦型NPNトランジスタと同時製造が可能な高性能横型PNPトランジスタを有する半導体装置を提供する。【構成】単結晶半導体膜44に縦型NPNトランジスタ50のp型ベース領域12およびn+ 型エミッタ領域13を形成し、単結晶半導体膜45に横型PNPトランジスタ60のp型エミッタ領域23、n型真性ベース領域22およびp型コレクタ領域21を形成し、n型真性ベース領域22とn- 型シリコンエピタキシャル層3との間にn+ 型ホールストッパー領域32を形成する。また、各トランジスタのそれぞれの領域は多結晶半導体膜に接続し引き出される。
請求項（抜粋）：
素子分離領域により区画された第1導電型の第1および第2の単結晶半導体領域と、前記素子分離領域上および前記第1および第2の単結晶半導体領域上に形成された層間絶縁膜と、前記第1および第2の単結晶半導体領域の表面がそれぞれ露出するように前記層間絶縁膜に形成された第1および第2の開口と、前記第1および第2の開口内の前記第1および第2の単結晶半導体領域上にそれぞれ形成された第2導電型の第1および第2の単結晶半導体膜とを有し、前記第1の単結晶半導体領域内の第1導電型の第1のコレクタ領域、前記第1の単結晶半導体膜からなる第2導電型の第1のベース領域および前記前記第1の単結晶半導体膜内に形成された第1導電型の第1のエミッタ領域を具備して縦型バイポーラトランジスタを構成し、前記第2の単結晶半導体膜の中央部に形成された第1導電型の第2のベース領域、前記第2のベース領域の一方の側に隣接して位置する前記第2の単結晶半導体膜の第2導電型の部分による第2導電型の第2のエミッタ領域および前記第2のベース領域の他方の側に隣接して位置する前記第2の単結晶半導体膜の第2導電型の部分による第2導電型の第2のコレクタ領域を具備して横型バイポーラトラジスタを構成し、第1の側壁絶縁膜が前記第1のエミッタ領域と前記第1のベース領域との成すPN接合を跨いで被覆し、前記層間絶縁膜上を延在せる第2導電型の第1の多結晶半導体膜が前記第1の開口上を突出して前記第1の側壁絶縁膜の外壁に当接し、かつ前記第1のベース領域に接続し、前記第1の側壁絶縁膜の内壁内を充填する第1導電型の第2の多結晶半導体膜が前記第1のエミッタ領域に接続し、第2の側壁絶縁膜が前記第2のエミッタ領域と前記第2のベース領域との成すPN接合および前記第2のベース領域と前記第2のコレクタ領域との成すPN接合を跨いで被覆し、前記層間絶縁膜上を延在せる第2導電型の第3の多結晶半導体膜が前記第2の開口上を突出して前記第2の側壁絶縁膜の外壁に当接し、かつ前記第2のエミッタ領域に接続し、前記層間絶縁膜上を延在せる第2導電型の第4の多結晶半導体膜が前記第2の開口上を突出して前記第2の側壁絶縁膜の外壁に当接し、かつ前記第2のコレクタ領域に接続し、前記第2の側壁絶縁膜の内壁内を充填して前記第2のベース領域上に位置する第1導電型の第5の多結晶半導体膜が前記第2のベース領域に接続し、ていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8224
, H01L 27/082
, H01L 21/8228
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 27/08 101 V
, H01L 27/08 101 C
, H01L 29/72
