特許

J-GLOBAL ID：200903052762369481

高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者： 山越 康廣 ,  鈴木 了 ,  宮下 博仁
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-015347
公開番号（公開出願番号）：特開2003-213407
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】 ゲート電極材料としてサリサイドプロセスによるニッケルシリサイド(NiSi)の利点を生かすと同時に、NiSi2相に相転移させる原因を究明し、これを効果的に抑制できる、特にゲート電極材料として有用な高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 酸素、炭素の含有量がそれぞれ20wtppm以下であることを特徴とする高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

酸素、炭素の含有量がそれぞれ20wtppm以下であることを特徴とする高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C22C 19/03 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 19/03 Z ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z

Fターム (14件)：

4K029BA52 ,  4K029BD02 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC08 ,  4M104AA01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB21 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD40 ,  4M104DD84