特許

J-GLOBAL ID：200903052762956913

電極下地構成およびその製造方法

発明者： 山田 光志
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 及川 泰嘉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050263
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174234
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】エッチング角度およびエッチング量に不安定をきたすことをなくする、電極下地形成方法および電極下地構成を提供すること。【解決手段】エレクトロード324とそれに接続されるボンディングパッド330とを有し、両者の間およびボンディングパッド330下に比誘電率の低い樹脂層を形成する半導体装置において、前記両樹脂層を他の層により隔離することを特徴とする電極下地構成。

請求項（抜粋）：

エレクトロードとそれに接続される電極パッドとを有し、両者の間および電極パッドの各下層に比誘電率の低い樹脂層を形成する半導体装置において、前記両樹脂層を他の層により隔離することを特徴とする電極下地構成。

IPC (3件)：

H01S 5/227 ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01S 5/227 ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 31/10 H

Fターム (20件)：

2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EB02 ,  2H079EB12 ,  2H079JA04 ,  2H079JA07 ,  5F049MA01 ,  5F049NA08 ,  5F049QA02 ,  5F049SE20 ,  5F073AA21 ,  5F073AA77 ,  5F073AA89 ,  5F073BA01 ,  5F073CA01 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA29

引用文献：

審査官引用 (1件)

• High-Speed Electroabsorption Modulator with Strip-Loaded GaInAsP Planar Waveguide