特許

J-GLOBAL ID：200903052762999019

半導体装置の製造方法

発明者： 清水 紀嘉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-144599
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343391
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 半導体表面に酸化膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、低温で高品質のシリコン酸化膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 700°C以下に加熱したシリコン基板表面に酸素と水素の少なくとも一方をラジカルビームとして照射してシリコン酸化膜を形成する。好ましくは、シリコン酸化膜形成前に水素ラジカルビームをシリコン基板表面に照射し、シリコン基板表面の清浄化を行なう。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を700°C以下に加熱する工程と、酸素のラジカルビームと水素のラジカルビームを形成し、それぞれシリコン表面上に照射してシリコン酸化膜を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。