特許
J-GLOBAL ID：200903052765690620
イオン感知型電界効果トランジスタチップ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
香取 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064703
公開番号（公開出願番号）：特開平6-308078
出願日： 1984年08月24日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】液体中のイオンを選択的に測定する測定装置のイオンセンサを保護するための保護装置に関する。【構成】イオン感知型電界効果トランジスタのゲート領域に密接してチップ上に露出して保護電極を有し、保護電極がイオン感知型電界効果トランジスタのゲート領域の周囲に配置された金属リング状に形成したイオン感知型電界効果トランジスタチップ。
請求項（抜粋）：
イオン感知型電界効果トランジスタのゲート領域に密接してチップ上に露出して保護電極を有し、該保護電極が該イオン感知型電界効果トランジスタのゲート領域の周囲に配置された金属リング状に形成したことを特徴とするイオン感知型電界効果トランジスタチップ。
IPC (2件)：
G01N 27/414
, A61B 5/14 310
