特許
J-GLOBAL ID：200903052765819704
半導体装置とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-266498
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109905
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置とその製造方法に関し、半導体装置の多層配線構造において、上下配線パターン間のコンタクト部の占有面積を抑え、かつ信頼性を向上した半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の半導体装置においては、基板上に、底面がほぼ平坦で表面に凹部を設けた第1の配線層が形成されており、その上に、第1の配線層の表面を覆う絶縁層が形成されている。絶縁層には、貫通孔が設けられ、第2の配線層が貫通孔を通って第1の配線層の凹部の表面と接続している。そして本発明の半導体装置の製造方法においては、貫通孔のエッチングに続いて凹部の形成がエッチングにより行われる。
請求項（抜粋）：
基板(1)上に形成され、底面がほぼ平坦で表面に凹部(5)を設けた第1の配線層(2)と、前記第1の配線層(2)の表面を覆う絶縁層(3)と、前記絶縁層(3)を貫通する貫通孔(4)と、前記貫通孔(4)を通って前記第1の配線層(2)の前記凹部(5)の表面と接触する第2の配線層(6)とを有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
H01L 21/88 B
, H01L 21/88 N
