特許

J-GLOBAL ID：200903052768175166

密着露光方法

発明者： 宮村 芳徳 ,  堀籠 信吉 ,  安齋 由美子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-131691
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342767
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【構成】信号用ピット等のパターンを有するクロムマスクとフォトレジストを有するSi基板を密着させ、紫外線を照射する工程において、1回の照射時間を短時間とし、これを複数回実行することにより所定の露光時間を確保し、クロムマスクの凹凸形状を忠実に転写させる。あるいは弱い光で長時間露光を行い、単位時間に発生する窒素ガスを少なくした。【効果】Siスタンパのフォトレジスト中のN2 ガスの大量発生による信号用ピット等の凹凸形状変形を防止でき、パターンに欠陥のない光ディスク用Siスタンパが得られる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にクロム膜およびフォトレジスト膜を形成した後、この表面にレーザ光を照射して露光,現像およびエッチングすることで、前記クロム膜のパターンを形成したフォトマスクと、前記フォトレジスト膜を表面に有するSi基板を密着した後、光を照射するを露光工程で、前記露光を複数回に分割して行うことを特徴とする密着露光方法。

IPC (5件)：

H01L 21/30 ,  G03B 27/02 ,  G03F 7/20 ,  G11B 7/26 501 ,  H01L 21/027