特許
J-GLOBAL ID：200903052776035942
オーミック電極およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上代 哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080974
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277455
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 n型半導体電極形成と同時に400°C以下の低温加熱によって薄い反応層の形成が可能で、良好なオーミック特性のp型III-V族化合物半導体の金属電極構造を提供することである。【解決手段】 p型III-V族化合物半導体結晶基材上に積層された複数の金属層からなり、基材側からの第一の層にVB族金属からなる層、その上に例えばZnを含む第二の層、高融点金属からなる第三の層およびAuからなる第四の層が順次積層されたオーミック電極である。
請求項（抜粋）：
p型III-V族化合物半導体結晶からなる基材上に積層された複数の金属層からなるオーミック電極であって、該基材側からの第一の層がVB族元素からなり、その上に第二の層以降の層が順次積層されたオーミック電極。
Fターム (12件)：
4M104AA04
, 4M104BB04
, 4M104BB13
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD34
, 4M104DD79
, 4M104DD90
, 4M104FF17
, 4M104GG04
, 4M104GG05
, 4M104HH15
