特許

J-GLOBAL ID：200903052779907681

絶縁ゲート形半導体装置

発明者： 森川 正敏 ,  吉田 功 ,  坂本 光造 ,  関 浩一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-241721
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097438
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 しきい値電圧ばらつきが小さく、破壊に強い低電圧駆動に最適な電力用MOSトランジスタを提供すること。【構成】 ベース領域4と低抵抗ソース領域5と多角形のソース開口部を有するMOSトランジスタにおいて、隣接するベース領域4の角同士を拡散層14で接続し、不純物濃度を高くした。他に、角におけるゲート絶縁膜15の厚さを辺よりも厚くしたり、角の低抵抗ソース領域5を除去しり、角にP形領域17を追加し、不純物濃度を高くしたり、角の角度を鈍角にして円弧に近づけ、角におけるベース領域4の拡がり距離を辺の場合と同程度にしても良い。【効果】 多角形メッシュ・ゲートのベース領域の角の影響をなくすことができ、しきい値電圧のばらつきの低減と、寄生バイポーラ動作の抑制によるアバランシェ破壊耐量の向上といった効果がある。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域となる第1導電型の半導体基体表面に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極に設けられた多角形のソース開口部から二重拡散によって形成された第2導電型のベース領域と第1導電型の低抵抗ソース領域によりチャネル領域が形成され、該ゲート電極に設けられたドレイン開口部に形成された第1導電型の低抵抗ドレイン領域を有し、該ソース開口部と該ドレイン開口部が複数個配置された絶縁ゲート形半導体装置において、該ソース開口部の角におけるしきい値電圧が、該ソース開口部の辺におけるしきい値電圧に対して同等か、もしくは高いことを特徴とする絶縁ゲート形半導体装置。