特許

J-GLOBAL ID：200903052783272550

薄膜気相成長装置

発明者： 篠崎 弘行 ,  福永 由紀夫 ,  村上 武司 ,  塚本 究
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174339
公開番号（公開出願番号）：特開平9-003650
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：

【要約】【目的】 基板の温度制御を迅速に行なうことができ、高誘電体の薄膜気相成長を望ましい条件下で行うことができる薄膜気相成長装置を提供する。【構成】 基板Sを外界と隔離した雰囲気内に収容する反応室3と、反応室3内において基板を支持する基板支持部材8と、成膜に必要な反応ガスを基板に向けて噴射する反応ガス供給手段6と、前記反応室3内の気体を外部に排出する排気手段4と、中空に形成されたロータ11を有し、前記基板を高速回転させる基板高速回転手段9と、前記基板の裏面側昇降自在に配置されたヒータ30と、前記ヒータを前記ロータ11の中空部を介して支持し、かつ昇降させるヒータ昇降機構とを有する。

請求項（抜粋）：

基板を外界と隔離した雰囲気内に収容する反応室と、反応室内において基板を支持する基板支持部材と、成膜に必要な反応ガスを基板に向けて噴射する反応ガス供給手段と、前記反応室内の気体を外部に排出する排気手段と、中空に形成されたロータを有し、前記基板を高速回転させる基板高速回転手段と、前記基板の裏面側に昇降自在に配置されたヒータと、前記ヒータを前記ロータの中空部を介して支持し、かつ昇降させるヒータ昇降機構と有するを特徴とする薄膜気相成長装置。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

C23C 16/44 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B