特許
J-GLOBAL ID：200903052785941492
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073339
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234381
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 フローティングゲートにエレクトロンを注入することにより書き込みをする電気的に消去可能なスタックゲートメモリMOSトランジスタ型の不揮発性半導体記憶装置において、過剰消去のおそれをなくし、読み出しスピードを早め、電源電圧を3Vに低くした場合には読み出し時のソフトライトの軽減、トンネル膜のストレスの軽減を図る。【構成】 読み出し時の非選択のワード線に加える電圧(従来の0V)を負電圧、例えば-2〜-5Vにする。
請求項（抜粋）：
フローティングゲートにエレクトロンを注入することにより書き込みをする電気的に書き換え可能なスタックゲートメモリMOSトランジスタ型の不揮発性半導体記憶装置において、読み出し時における非選択のワード線の電圧を負電圧としてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置
IPC (4件)：
G11C 16/02
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 307 A
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
