特許
J-GLOBAL ID：200903052788977510
不純物の拡散方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035081
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252077
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体もしくは絶縁体中の不純物の空間的分布を比較的低温で制御する。【構成】 予め不純物2を導入した半導体もしくは絶縁体よりなる基板1に、絶縁膜3を介して電極4を設ける。電極4に電圧を印加しながら基板に強力なX線を照射することによって不純物の空間的分布を制御する。
請求項（抜粋）：
予め不純物を導入した半導体もしくは絶縁体に、X線を照射し、且つ電界をかけることによって不純物の空間的分布を制御することを特徴とする不純物の拡散方法。
IPC (4件)：
H01L 21/26
, H01L 21/265
, H01L 21/268
, H01L 21/326
